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    首款12層堆疊HBM3內(nèi)存發(fā)布,單條最高容量24GB|前沿資訊

    2023-04-20 17:54:03來源:中關(guān)村在線  


    (相關(guān)資料圖)

    SK海力士20日宣布,全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片,成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品,并正在接受客戶公司的性能驗證。

    據(jù)了解,SK海力士在此次此新產(chǎn)品采用了MR-MUF和TSV技術(shù)。SK海力士表示,通過MR-MUF技術(shù)加強了工藝效率和產(chǎn)品性能的穩(wěn)定性,又利用TSV技術(shù)將12個比現(xiàn)有芯片薄40%的單品DRAM芯片垂直堆疊,實現(xiàn)了與16GB產(chǎn)品相同的高度。

    TSV技術(shù)指的是硅通孔技術(shù),在DRAM芯片打上數(shù)千個細微的孔,并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的先進封裝技術(shù)。采用該技術(shù)的SK海力士HBM3 DRAM可每秒傳輸163部全高清(Full-HD)電影,最大速度可達819GB/s。

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